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FQPF70N10  与  IPA126N10N3 G  区别

型号 FQPF70N10 IPA126N10N3 G
唯样编号 A33-FQPF70N10 A-IPA126N10N3 G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.023 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.6mΩ
上升时间 - 6ns
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 33W
Qg-栅极电荷 - 9nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 -
连续漏极电流Id - 35A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 10.65mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQPF70N10 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 整包

暂无价格 0 当前型号
FQP70N10 ON Semiconductor 功率MOSFET

57A(Tc) ±25V 160W(Tc) 23m Ohms@28.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 100V 57A 23 毫欧 @ 28.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ)

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FQP70N10 ON Semiconductor 功率MOSFET

57A(Tc) ±25V 160W(Tc) 23m Ohms@28.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 100V 57A 23 毫欧 @ 28.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ)

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IPA126N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA126N10N3GXKSA1_100V 35A 12.6mΩ 20V 33W N-Channel -55°C~175°C

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IPA180N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA180N10N3GXKSA1_100V 28A 18mΩ 20V 30W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOTF4126 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220FL N-Channel 100V ±25V 27A 42W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥7.5 

阶梯数 价格
220: ¥7.5
500: ¥6.1538
1,000: ¥4.8
0 对比

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